목차

1. 개요
2. 실험기기
3. 실험결과
4. 고찰

본문내용

I. 개요
쌍극성 트랜지스터의 기본적인 동작원리를 익히고 트랜지스터회로에서 부하선과 동작점의 개념을 익힌다.
또한 트랜지스터의 특성곡선을 실험적으로 확인한다.

2. 실험기기
테스터, 오실로스코프, 직류전원장치(dual), 함수발생기, 만능기판, 만능기판용 전선, 스트리퍼, 트랜지스터(2N4401) 1개, 다이오드 1개, 저항 100Ω(5W) 1개, 10kΩ 1개, 1kΩ가변저항 1개

3. 실험결과
전압-전류 특성 측정
(1) 그림4의 회로를 결선하라. RB = 10kΩ, RC = 220Ω로 한다. 단 결선 전에 사용한 저항의 실제 저항 값을 테스터로 측정하고 기록한다.

예상 결선 회로 실제 결선 회로

(2) VBB를 최소로 놓고 VCC를 0에서 20V까지 1~2V간격으로 증가시켜 나가면서 매 단계마다 다음의 측정치를 기록한다. 단, 모든 전압의 측정은 접지점을 기준으로 하여 행한다. 즉 테스터의 음단자를 GND에 접촉하고 양단자를 옮겨가면서 측정을 행한다.
1. 베이스 구동전압(VBB)
2. 트랜지스터 베이스전압(VBE)
3. 트랜지스터 컬렉터전압(VCE)
4. 전원전압(VCC)

[VCC=0] 예상값[V] 측정값[V]
VBB 0
VBE 0
VCE 0
VCC 0

[VCC=5] 예상값[V] 측정값[V]
VBB 0
VBE 49.762n
VCE 5
VCC 5

[VCC=10] 예상값[V] 측정값[V]
VBB 0
VBE 99.267n
VCE 10
VCC 10

[VCC=15] 예상값[V] 측정값[V]
VBB 0
VBE 148.771n
VCE 15
VCC 15

[VCC=20] 예상값[V] 측정값[V]
VBB 0
VBE 198.275n
VCE 20
VCC 20

(3) 위의 측정치와 2항에서 측정한 회로의 실제 저항값을 사용, 각 경우의 베이스전류와 컬렉터 전류를 구하고 이들로부터 직류증폭율을 계산한다. 그리고 이들 값을 포함한 측정치를 표로 정리한다.
-다음의 식들을 이용함
I_B=(V_BB-V_BE)/R_B , I_C=(V_CC-V_CE)/R_C , β_dc=I_C/I_B
[VBB=0]

참고 자료

없음